3D NAND即三維閃存技術。過去的存儲芯片是平面的，我們可以把它想象為一個“地面停車場”。三維閃存芯片是立體的，更像是“立體停車場”。這意味著，同樣的“占地面積”，立體芯片能夠容納的數據量更多，可以達到驚人的1.33Tb。
長江存儲科技有限責任公司日前宣布，最新128層QLC 3D NAND閃存研發成功，這也是全球首款128層QLC閃存。目前，該閃存已通過多家知名控制器企業在固態硬盤等終端存儲產品上的驗證。
3D NAND即三維閃存技術。“過去的存儲芯片是平面的，我們可以把它想象為一個‘地面停車場’。三維閃存芯片是立體的，更像是‘立體停車場’。這意味著，同樣的‘占地面積’，立體芯片能夠容納的數據量更多。”專家表示。
盡管這顆存儲芯片只有芝麻粒大小，卻內藏乾坤。它擁有3665億個“細胞”——存儲單元。QLC是繼TLC后三維閃存新的技術形態，具有大容量、高密度等特點。TLC的每個“存儲細胞”可存儲3bit數據，QLC的每個“細胞”能存儲4bit數據。這些“存儲細胞”加起來，能讓一顆芯片的存儲容量達到驚人的1.33TB，相當于1362GB。
得益于“存儲細胞”不斷擴容以及這些“細胞”之間獨特的Xtacking架構布局，此次發布的128層閃存芯片“X2-6070”擁有業界最高的存儲密度、傳輸速度和單顆閃存芯片容量。
2018年底，長江存儲第一代32層三維閃存芯片量產。2019年9月份，首次基于Xtacking架構的64層三維閃存芯片量產。隨著自主Xtacking架構全面升級至2.0，進一步釋放了三維閃存的潛能，128層QLC閃存芯片才得以快速突破。
“從64層量產至128層研發成功，僅相隔了7個月，即便發生了疫情也沒有阻擋我們的研發腳步。”長江存儲首席執行官楊士寧表示，作為閃存行業的“新進入者”，長江存儲用短短3年便將中國的三維存儲芯片推向了128層的新高度。“這是數千名研發人員智慧的結晶，也是全產業鏈上下游通力協作的成果。”
閃存和固態硬盤領域市場研究公司認為，QLC技術降低了NAND閃存單位字節的成本，更適合作為大容量存儲介質。128層QLC閃存將率先在大容量U盤、閃存卡和固態硬盤中普及，廣泛用于AI計算、機器學習、實時分析和大數據中的讀取密集型應用。
關鍵詞： 128層QLC存儲芯片 長江存儲
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