2019年，中芯國際量產了國內最先進的14nm工藝制程，并已為華為麒麟710A處理器等進行代工。目前，中芯國際正在回歸A股上市，計劃募資200億元，主要就是投入14nm等先進工藝的開發。
6月7日晚間，中芯國際在上交所公布了對第一輪審核問詢函的回復，僅用4天，創造了一個新紀錄，而在六大類、29個問題中，最引人關注的當屬對于新工藝細節的披露。
中芯國際表示，14nm晶圓代工產能正處于初期布局階段，因此全球份額相對較低，不過第一代14nm FinFET技術已進入量產階段，而且技術上處于國際領先水平，且具有一定的性價比，目前已同眾多客戶開展合作，預測產能利用率可以穩定保持在較高水平。
中芯國際透露，利用其先進FinFET技術在晶圓上所制成的芯片，已應用于智能手機領域。雖未進一步明確，但顯然指的就是華為麒麟710A。
在下一代技術節點的開發上，全球純晶圓代工廠僅剩臺積電、中芯國際兩家，第二代FinFET技術目前已進入客戶導入階段，與第一代對比有望在性能上提高約20% ，功耗降低約60%。
中芯國際表示，14nm及以下先進工藝主要應用于5G 、人工智能、智能駕駛、高速運算等新興領域，未來發展前景廣闊，而隨著相關應用領域持續發展，先進工藝的市場需求將持續上升，市場份額將不斷擴大，成為集成電路晶圓代工市場新的增長點。
根據招股書披露，中芯國際本次計劃發行不超過16.86億股新股，預計募資200億元人民幣，計劃分別投入中芯南方正在進行的12英寸芯片SN1項目(80億元)、先進及成熟工藝研發項目儲備資金(40億元)、補充流動資金(80億元)。
其中，12英寸芯片SN1項目是中國大陸第一條14nm及以下先進工藝生產線，規劃月產能為3.5萬片晶圓，目前已建成月產能6000片。
本次問詢中，中芯國際又對募集資金投資項目的風險進行了補充披露：12英寸芯片SN1項目的總投資額為90.59億元美元，其中生產設備購置及安裝費達733016萬美元。
SN1項目達產后將會貢獻額外的先進制程收入，但同時帶來較高的折舊成本壓力。 隨著14納米及下一代制程的產線投產、擴產， 公司一定時期內會面臨較大的折舊壓力，該部分業務毛利率可能會低于公司平均水平，存在經濟效益不達預期，甚至產生較大額度虧損的風險。
此外，中芯國際還對研發費用率遠高于同行的原因及合理性進行了說明。數據顯示，2019年臺積電、中芯國際、聯華電子、華虹半導體的研發費用分別為211億元、47億元、27億元、4億元，相應占營收比重分別為9%、22%、8%、7%。
中芯國際表示，為加強在先進制程方面的技術實力，公司不斷加大先進制程的研發投入，相繼實現了28nm HKC+工藝、第一代 14nm FinFET工藝的研發和量產，第二代14nm FinFET工藝的研發也在穩健進行中，并不斷拓展成熟工藝應用平臺，因此公司研發費用率高于可比上市公司。(上方文Q)
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